Veel projecten van hardware engineers worden op een printplaat met gaten uitgevoerd, maar het komt voor dat de positieve en negatieve aansluitingen van de voeding per ongeluk met elkaar worden verbonden. Hierdoor verbranden veel elektronische componenten en gaat zelfs de hele printplaat kapot. Deze moet dan opnieuw worden gelast. Ik weet niet wat de beste manier is om dit op te lossen?
Ten eerste is onzorgvuldigheid onvermijdelijk. Hoewel het slechts één keer nodig is om de positieve en negatieve twee draden, een rode en een zwarte, van elkaar te onderscheiden, zullen we geen fouten maken. Tien verbindingen zullen niet mislukken, maar 1000? En 10.000? Op dit moment is dat moeilijk te zeggen. Door onze onzorgvuldigheid zijn sommige elektronische componenten en chips doorgebrand. De belangrijkste reden is dat er te veel stroom is en componenten kapot gaan. We moeten dus maatregelen nemen om te voorkomen dat de verkeerde verbinding wordt gemaakt.
De volgende methoden worden vaak gebruikt:
01 diode serie type anti-reverse beschermingscircuit
Een doorlaatdiode wordt in serie geschakeld met de positieve voedingsingang om de eigenschappen van de diode (voorwaartse geleiding en spergeleiding) optimaal te benutten. Onder normale omstandigheden geleidt de secundaire buis en werkt de printplaat.
Wanneer de voeding wordt omgekeerd, wordt de diode afgesneden, kan de voeding geen lus vormen en werkt de printplaat niet, wat het probleem van de voeding effectief kan voorkomen.
02 Anti-reverse beveiligingscircuit van het type gelijkrichterbrug
Met de gelijkrichterbrug kunt u de stroomtoevoer omzetten naar een apolaire invoer. Het maakt niet uit of de voeding is aangesloten of omgekeerd, de printplaat werkt normaal.
Als de siliciumdiode een drukval heeft van ongeveer 0,6~0,8 V, heeft de germaniumdiode ook een drukval van ongeveer 0,2~0,4 V. Als de drukval te groot is, kan de MOS-buis worden gebruikt voor anti-reactiebehandeling. De drukval van de MOS-buis is zeer klein, tot een paar milliohm, en de drukval is bijna te verwaarlozen.
03 MOS-buis anti-reverse beschermingscircuit
Dankzij procesverbeteringen, de eigen eigenschappen en andere factoren is de inwendige weerstand van een MOS-buis klein, vaak op milliohm-niveau of zelfs kleiner, waardoor de spanningsval in het circuit en het vermogensverlies dat door het circuit wordt veroorzaakt bijzonder klein of zelfs verwaarloosbaar zijn. Daarom is het beter om een MOS-buis te kiezen om het circuit te beschermen.
1) NMOS-bescherming
Zoals hieronder weergegeven: Bij het inschakelen wordt de parasitaire diode van de MOS-buis ingeschakeld en vormt het systeem een lus. De potentiaal van de bron S is ongeveer 0,6 V, terwijl de potentiaal van de gate G Vbat is. De openingsspanning van de MOS-buis is extreem: Ugs = Vbat-Vs, de gate is hoog, de ds van de NMOS is ingeschakeld, de parasitaire diode is kortgesloten en het systeem vormt een lus via de ds-aansluiting van de NMOS.
Als de voeding wordt omgekeerd, is de inschakelspanning van de NMOS 0, wordt de NMOS afgesneden, wordt de parasitaire diode omgekeerd en wordt het circuit losgekoppeld, waardoor er een beveiliging ontstaat.
2) PMOS-bescherming
Zoals hieronder weergegeven: Bij het inschakelen wordt de parasitaire diode van de MOS-buis ingeschakeld en vormt het systeem een lus. De potentiaal van de bron S is ongeveer Vbat-0,6 V, terwijl de potentiaal van de gate G 0 is. De openingsspanning van de MOS-buis is extreem: Ugs = 0 – (Vbat-0,6), de gate gedraagt zich als een laag niveau, de ds van PMOS is ingeschakeld, de parasitaire diode is kortgesloten en het systeem vormt een lus via de ds-aansluiting van PMOS.
Als de voeding wordt omgekeerd, is de aan-spanning van de NMOS groter dan 0, wordt de PMOS afgesneden, wordt de parasitaire diode omgekeerd en wordt het circuit losgekoppeld, waardoor er een beveiliging ontstaat.
Let op: NMOS-buizen worden met de rij ds aan de negatieve elektrode bevestigd, PMOS-buizen met de rij ds aan de positieve elektrode en de richting van de parasitaire diode is gericht op de correct aangesloten stroomrichting.
De toegang van de D- en S-polen van de MOS-buis: normaal gesproken, wanneer de MOS-buis met N-kanaal wordt gebruikt, komt de stroom binnen via de D-pool en stroomt deze weg via de S-pool, terwijl de PMOS binnenkomt en D weggaat via de S-pool. Het omgekeerde is waar wanneer dit in dit circuit wordt toegepast: de spanningsvoorwaarde van de MOS-buis wordt bereikt via de geleiding van de parasitaire diode.
De MOS-buis blijft volledig ingeschakeld zolang er een geschikte spanning tussen de G- en S-polen ontstaat. Na geleiding is het alsof er een schakelaar wordt gesloten tussen D en S, en de stroomsterkte is dezelfde weerstand van D naar S of van S naar D.
In praktische toepassingen wordt de G-pool meestal verbonden met een weerstand. Om te voorkomen dat de MOS-buis doorslaat, kan ook een spanningsregelaardiode worden toegevoegd. Een condensator die parallel aan een deler is geschakeld, heeft een softstarteffect. Zodra de stroom begint te lopen, wordt de condensator opgeladen en wordt de spanning van de G-pool geleidelijk opgebouwd.
Voor PMOS moet Vgs, vergeleken met NOMS, groter zijn dan de drempelspanning. Omdat de openingsspanning 0 kan zijn, is het drukverschil tussen DS en DP niet groot, wat voordeliger is dan NMOS.
04 Zekeringbeveiliging
Bij veel gangbare elektronische producten is het zo dat na het openen van de voeding het gedeelte met de zekering wordt omgekeerd, er kortsluiting ontstaat in het circuit door de grote stroom, en vervolgens de zekering doorbrandt. Deze spelen een rol bij het beschermen van het circuit, maar reparatie en vervanging zijn lastiger.
Plaatsingstijd: 08-07-2023
